منتخب الدفاع المدني يواصل استعداداته لبطولة العالم لرياضة الإطفاء والإنقاذ
القبض على مواطن نقل 11 مخالفًا لنظام أمن الحدود في جازان
الجنيه الإسترليني يتراجع أمام الدولار ويستقر مقابل اليورو
المهارات الرقمية تصوغ معيار النمو الجديد في ليرن
سفارة السعودية في تركيا تحذر المواطنين من الطقس
انطلاق بطولة وكالة شؤون الأفواج الأمنية لكرة القدم الثانية
سلمان للإغاثة يوزّع 501 سلة غذائية في ريف دمشق
حساب المواطن: لا يتم إضافة العمالة المنزلية ضمن التابعين
المصري خالد العناني رئيسًا لمنظمة اليونيسكو
الذكاء الاصطناعي يهدد 44 وظيفة
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.