أسماء الفائزين في مسابقة الملك عبدالعزيز لحفظ القرآن وتلاوته وتفسيره
الجامعة الإسلامية تعتمد إدراج مقرر الذكاء الاصطناعي متطلبًا جامعيًا
الشؤون الدينية تسلّم كبار المطوفين الرخصة الأولى عبر تطبيق توكلنا لتعزيز الخدمات
توضيح من التأمينات بشأن استبعاد المشترك غير السعودي
مواطن ينقذ شابًا من داخل مركبة محترقة بالرياض
التوازن الرقمي للأطفال يبدأ من القدوة الأسرية
نيجيريا.. ارتفاع ضحايا هجوم كاتسينا إلى 50 قتيلًا واختطاف العشرات
علماء يكتشفون فيروسًا يقضي على مسببات الالتهاب الرئوي
طرق وقاية أشجار الحمضيات من الحشرة القشرية
وزارة الداخلية تقيم معرض الذكاء الاصطناعي في خدمة الإنسان بالرياض
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.