فيصل بن فرحان يتلقى اتصالًا هاتفيًّا من وزير خارجية أفغانستان
خطوات تعديل البيانات وإضافة التابع في حساب المواطن
وظائف شاغرة بـ شركة الإلكترونيات المتقدمة
وظائف شاغرة في شركة الفنار
ولفرهامبتون يُسقط أستون فيلا بثنائية نظيفة في الدوري الإنجليزي
#يهمك_تعرف | خطوات حجز الصلاة في الروضة الشريفة عبر توكلنا
مظلات المسجد النبوي.. هندسة متحركة تظلل أكثر من 228 ألف مصلٍ
الحزم يتغلّب على الاتفاق بثلاثة أهداف مقابل هدف
عُمان: إيران وافقت على عدم امتلاك مواد نووية عسكرية وهناك تقدم بمسار الاتفاق
الهلال يتجاوز الشباب بخماسية
-
18°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب