وظائف شاغرة بشركة السودة للتطوير
جامعة طيبة تُعلن بدء التقديم على برنامج ماجستير طب الأسنان التعويضي
الأهلي يلاقي جوهور دار التعظيم في ربع نهائي دوري أبطال آسيا للنخبة
ضبط مخالفين لنظام حظر صيد أسماك الناجل في بدر
أمير القصيم يرعى حفل سباق “كأس الدرعية” ويُتوّج الفائزين بميدان الملك سعود للفروسية
هطول أمطار غزيرة وبرد على منطقة حائل
وزارة الصناعة تصدر 44 ألف “شهادة منشأ” خلال مارس 2026
تطبيق “أهلًا” يتيح دخولًا سهلًا وسريعًا إلى ملاعب دوري أبطال آسيا للنخبة 2026
القتل تعزيرًا لـ مواطن أنهى حياة زوجته بضربها وحرقها في الشرقية
ترامب يعلن اتفاقًا لوقف إطلاق النار بين لبنان وإسرائيل
-
26°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب