لقطات من عملية رفع كسوة الكعبة المشرفة استعدادًا لموسم حج 1446
إيلون ماسك: سنأتي بالمركبات ذاتية القيادة إلى السعودية
سلمان للإغاثة يوزّع الكسوة على 112 أسرة سورية في حلب
القبض على 3 وافدين لترويجهم حملات حج وهمية وبيع أساور حج مزورة
ولي العهد يستقبل ترامب في الدرعية ويصطحبه في جولة بحي طريف التاريخي
أمانة المدينة المنورة تسحب المركبات المهملة والتالفة
انطلاق المؤتمر العالمي الأول للميتاجينوم والميكروبيوم الاثنين القادم في الرياض
ترامب: الأمير محمد بن سلمان رجل عظيم وسأفعل أي شيء يطلبه مني
بطلب من ولي العهد.. ترامب يعلن رفع العقوبات عن سوريا
ولي العهد: نأمل في فرص استثمارية بأمريكا تصل إلى تريليون دولار
أعلنت شركة سامسونج عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي RAM جديدة للأجهزة الجوالة، تمتاز بالتوفير في استهلاك الطاقة مع زيادة معدل نقل البيانات.
وكشفت الشركة الكورية الجنوبية عن ذاكرة LPDDR5 الأولى، على الرغم من أن المواصفات الرسمية لم تكتمل بعد من قبل JEDEC، وقد تم تصميم الإصدار الموفر في استهلاك الطاقة من ذاكرة DDR5 خصيصًا للأجهزة الجوالة، ويصل معدل نقل البيانات للذاكرة العشوائية LPDDR5 الجديدة إلى 6400 ميجا بت في الثانية.
ويبلغ معدل الجهد اللازم لذاكرة الوصول العشوائي الجديدة إلى 1.1 فولت، كما يمكن توفير المزيد من الطاقة في الوضع الخاص ليصل معدل الاستهلاك إلى 1.05 فولت، ولكن في المقابل ينخفض معدل نقل البيانات إلى 5500 ميجا بت في الثانية.
ويعمل وضع السكون العميق Deep Sleep Mode، المعروف اختصارًا باسم DSM، على توفير نسبة أخرى من الطاقة تصل إلى 30%، وتخطط شركة سامسونج لبدء الإنتاج القياسي من ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة خلال العام المقبل.