القبض على مواطن في جازان لنقله مخالفين لنظام أمن الحدود
المكسيك تهزم جنوب إفريقيا في افتتاح كأس العالم 2026
افتتاح بطولة كأس العالم لكرة القدم 2026
جامعة نجران تعلن فتح التسجيل بمعسكر الذكاء الاصطناعي التوليدي الصيفي
ترامب: توقيع اتفاق مع إيران الأسبوع المقبل في أوروبا
المرور: ضبط 1950 مركبة مخالفة متوقفة في أماكن ذوي الإعاقة
القبض على مواطنين لترويجهما الحشيش والإمفيتامين بعسير
ترامب: دي فانس سيسافر من أجل توقيع الاتفاق مع إيران
وزير الخارجية الأمريكي: ملتزمون بتعهداتنا الدفاعية المشتركة مع الفلبين
ريال مدريد يعلن تعيين جوزيه مورينيو مدربًا للفريق لثلاث سنوات
أعلنت شركة سامسونج عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي RAM جديدة للأجهزة الجوالة، تمتاز بالتوفير في استهلاك الطاقة مع زيادة معدل نقل البيانات.
وكشفت الشركة الكورية الجنوبية عن ذاكرة LPDDR5 الأولى، على الرغم من أن المواصفات الرسمية لم تكتمل بعد من قبل JEDEC، وقد تم تصميم الإصدار الموفر في استهلاك الطاقة من ذاكرة DDR5 خصيصًا للأجهزة الجوالة، ويصل معدل نقل البيانات للذاكرة العشوائية LPDDR5 الجديدة إلى 6400 ميجا بت في الثانية.
ويبلغ معدل الجهد اللازم لذاكرة الوصول العشوائي الجديدة إلى 1.1 فولت، كما يمكن توفير المزيد من الطاقة في الوضع الخاص ليصل معدل الاستهلاك إلى 1.05 فولت، ولكن في المقابل ينخفض معدل نقل البيانات إلى 5500 ميجا بت في الثانية.
ويعمل وضع السكون العميق Deep Sleep Mode، المعروف اختصارًا باسم DSM، على توفير نسبة أخرى من الطاقة تصل إلى 30%، وتخطط شركة سامسونج لبدء الإنتاج القياسي من ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة خلال العام المقبل.