المدني يحذر: أمطار رعدية على معظم المناطق حتى الثلاثاء حارس ريال مدريد يُنهي الجدل حول هدف لامين يامال غير المحتسب قمر صناعي روسي كاد يصطدم بآخر أمريكي في الفضاء الديوان الملكي: الملك سلمان غادر مستشفى الملك فيصل بعد استكمال الفحوصات الروتينية فيديو .. جماهير العين تكسر مدرجات ملعب “المملكة آرينا” الفريق البسامي: عززنا آليات استقبال بلاغات الاتجار بالأشخاص وتثقيف المجتمع بها الملك سلمان يوافق على منح وسام الملك عبدالعزيز لـ 200 متبرع ومتبرعة بالأعضاء محمد بن عبدالرحمن رئيسًا فخريًّا لجمعية أصدقاء لاعبي كرة القدم أسباب حرارة باطن القدمين الدائمة شاهد .. جماهير الهلال تُهاجم علي البليهي بعد 4 أخطاء كارثية منه
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.