مصر تدين الاعتداءات الإيرانية على الأردن والبحرين والكويت
الجيومكانية تنفذ مبادرة وطنية لجمع وتصنيف أكثر من 300 ألف نقطة اهتمام في
ضيوف برنامج خادم الحرمين للعمرة والزيارة يزورون معرض الوحي
“زنبق السلام” و”العنكبوت” أشهرها.. النباتات الداخلية عنصر جمالي وفوائد صحية متعددة
الفلبين تعتقل ثلاثة مشتبه بهم في حادثة مقتل عالم أحياء أمريكي
الجيش الأمريكي يستهدف محيط جزيرة قشم في إيران بالصواريخ
مجلس أوروبا يطالب باحترام حقوق مهاجرين قيد الترحيل
صواريخ أمريكية تصيب مواقع قرب بندر عباس في إيران
المتحدث الأمني لوزارة الداخلية يرأس وفد المملكة بالمؤتمر العربي الـ17 لرؤساء أجهزة الإعلام الأمني
هولندا ترفع مستوى التأهب بعد إعلان حالة نقص المياه
-
36°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب