سعر الذهب اليوم يتجه لتسجيل أسوأ أداء أسبوعي في 6 أشهر
3 توجيهات لضمان سلامة الركاب قبل الانطلاق بالسيارة
وظائف فنية وهندسية شاغرة بشركة بترورابغ
توقعات الطقس اليوم: رياح وأتربة وغبار على 7 مناطق
وظائف شاغرة في شركة السودة للتطوير
وظائف إدارية شاغرة لدى وزارة الصناعة
وظائف شاغرة بفروع وزارة الطاقة
وظائف شاغرة في الهيئة الملكية لمحافظة العلا
وظائف شاغرة لدى شركة طيران أديل
وظائف شاغرة لدى مجموعة صافولا
-
35°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب