وصول قافلة مساعدات سعودية جديدة إلى قطاع غزة
اليوم أول تعامد للقمر على الكعبة في 2026
سبب ارتباط صوت المدفع بشهر رمضان والعيد
رصد اقتران هلال رمضان مع نجم المبسوطة والمشتري من سماء الشمالية
خروج عربتي قطار عن القضبان بالأقصر المصرية
ضبط 55 مزاولًا للعمل الهندسي دون اعتماد مهني في أحد المشاريع الكبرى بجازان
3 تحت الصفر.. موجة باردة على طريف حتى الغد
إعلان أهلية مستفيدي الضمان الاجتماعي لشهر مارس والإيداع الأحد
الشؤون الإسلامية تنظّم مأدبة إفطار للصائمين في أديس أبابا
أكبر عرضة سعودية.. احتفاء يوم التأسيس بقصر الحكم يدخل غينيس
-
19°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب