العمليات الأمنية يتلقى (2,966,795) اتصالًا عبر رقم الطوارئ الموحد 911
جوازات منفذ الوديعة تنهي إجراءات مغادرة ضيوف الرحمن
ليلة العشاء السعودي تحتفي بضيوفها في كوالالمبور
ضيوف برنامج خادم الحرمين يزورون مجمع الملك فهد لطباعة المصحف الشريف بالمدينة المنورة
تراجع أسعار الذهب 0.8%
قمر الدانة يزيّن سماء المملكة والوطن العربي
السعودية تسجّل ولادة أحد أندر الحيوانات في العالم لأول مرة منذ 100 عام
دخول قرار رفع نسبة التوطين إلى 70% في مهن المشتريات حيّز التنفيذ
الموروث البحري في جازان.. ذاكرة الساحل وإرث البحر المتوارث
الخطوط السعودية تعزز أسطولها باستلام 12 طائرة خلال عام 2026
-
43°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب