دعم سعودي تنموي بقيمة 1.9 مليار ريال لـ اليمن
بتوجيهات القيادة.. خالد بن سلمان: دعم اقتصادي وحزمة مشاريع وبرامج تنموية للشعب اليمني
مصرع 32 شخصًا إثر سقوط رافعة على قطار في تايلند
تجمع مكة المكرمة الصحي يحقق إنجازات نوعية في التدريب الصحي
الجبير: مؤتمر التعدين الدولي منصة محورية عالمية لأكثر من 100 دولة
السعودية توقّع اتفاقية تعاون دولية لتعزيز الاستدامة والابتكار في القطاع الزراعي
أفراد من طاقم قاعدة العديد الأمريكية في قطر تلقوا طلبًا بالمغادرة
خالد بن سعود يستقبل المواطن زايد العطوي المتنازل عن قاتل ابنه لوجه الله تعالى
طيران ناس يطلق مركز عمليات جديدًا في أبها
الفريق البسامي يصدر قرارات ترقية 3221 فردًا من منسوبي الأمن العام
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.