وصول الطائرة الإغاثية السعودية الـ60 لإغاثة الشعب الفلسطيني في قطاع غزة
بيان سعودي إيطالي.. رفض تهجير الفلسطينيين ودعوة لوقف فوري للحرب في غزة
صورة اليوم الفلكية لسماء العُلا
سعود الطبية تبدأ إجراء عمليات استبدال المفاصل بالروبوت
ضبط 2275 مركبة مخالفة متوقفة في أماكن ذوي الإعاقة
واتساب يطلق ميزة مهمة بالذكاء الاصطناعي
مباحثات سعودية – أمريكية لتعزيز الشراكات الإستراتيجية في قطاع التصنيع المتقدم
سلمان للإغاثة يوزّع 314 سلة غذائية في ريف دمشق
حريق في محال تجارية بالرياض ولا إصابات
سالم الدوسري.. نجم الكرة السعودية وأيقونة الجماهير
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.