مطار زايد الدولي: 7 إصابات جراء استهداف المطار بمسيرة
أكثر من 10.7 ملايين قاصد للمسجد النبوي خلال العشر الأولى من رمضان
مشروع حافلات المدينة يعزّز تكامل خدمات النقل العام والترددي
إفطار كبير العائلة.. عادة اجتماعية أصيلة متوارثة في الحدود الشمالية
ترمب يعلن مقتل المرشد الإيراني علي خامنئي
ترمب لـ ولي العهد: نؤيد المملكة في أي إجراءات لمواجهة الانتهاكات الإيرانية
ملك المغرب في اتصال بـ ولي العهد: نقف حكومة وشعبًا إلى جانب السعودية
ولي العهد والمستشار الألماني يبحثان الاعتداءات الإيرانية السافرة
الداخلية القطرية: إصابة 8 أشخاص جراء العدوان الإيراني
البحرين تعلن التصدي لهجمة جديدة من إيران
-
16°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب