التعاون الإسلامي تدين وتستنكر بشدة استهداف إيران للسعودية والإمارات والبحرين وقطر والكويت والأردن
وصول الطائرة الإغاثية السعودية الـ 82 لإغاثة الشعب الفلسطيني في قطاع غزة
تأجيل مواجهة السعودية وقطر في تصفيات كأس العالم لكرة السلة 2027
الكويت تدين وتستنكر الهجمات الإيرانية على السعودية
طائرة مسيرة استهدفت مطار الكويت الدولي وإصابات طفيفة بين العاملين
طيران ناس تعلن تعليق عدد من رحلاتها من وإلى عدد من الوجهات
في اتصال هاتفي بولي العهد.. الرئيس المصري يؤكد دعم بلاده لأمن واستقرار المملكة
ولي العهد ورئيس وزراء باكستان يبحثان التطورات الخطيرة في المنطقة
قطر والأردن والمغرب والبحرين يدينون الاعتداءات الإيرانية الغادرة على السعودية
الدفاعات الجوية الإماراتية تعلن التصدي لمزيد من الصواريخ والمسيرات الإيرانية
-
22°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب