نقل مواطنين بالإخلاء الطبي من إسطنبول إلى السعودية لاستكمال العلاج
وفاة رئيس نيجيريا السابق محمد بخاري
سلمان للإغاثة يواصل توزيع المساعدات الإغاثية للأسر المتضررة من حرائق اللاذقية
ضبط 7535 دراجة آلية مخالفة خلال أسبوع
توضيح من سكني بشأن توقيع العقود
دانا تُغرق إسبانيا
مكتبة الملك عبدالعزيز تطلق عددًا من الفعاليات عن الحرف اليدوية
سلمان للإغاثة يوزّع 720 سلة غذائية في البقاع الأوسط بلبنان
وظائف شاغرة لدى وزارة الاقتصاد والتخطيط
وظائف شاغرة بـ الهيئة الملكية لمحافظة العلا
-
32°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب