ولي العهد وماكرون يبحثان هاتفيًا التطورات الخطيرة للأوضاع في المنطقة
مجلس التعاون يدين بأشد العبارات الاستهداف الإيراني الصارخ والآثم على أراضي الإمارات والبحرين وقطر والكويت والأردن
السعودية: نرفض وندين بأشد العبارات الهجمات الإيرانية السافرة والجبانة على منطقة الرياض والمنطقة الشرقية
سوريا: 4 قتلى في السويداء إثر سقوط صاروخ إيراني
#يهمك_تعرف .. خطوات التسجيل في حساب المواطن
ولي العهد يجري اتصالات هاتفية بقادة الإمارات والبحرين وقطر والكويت والأردن
الطيران المدني البحريني: تغييرات مؤقتة في الحركة الجوية
مسجد الجلعود بحائل.. 265 عامًا من التاريخ تتجدد ضمن مشروع الأمير محمد بن سلمان
الرئيس الفرنسي يدعو إلى اجتماع طارئ لمجلس الأمن
صور فضائية توثق تضرر مقر خامنئي في طهران
-
26°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب