اقتران القمر مع المريخ في سماء الشمالية
اختلاس كهرباء من مسجد في القويعية
فيصل بن فرحان يصل إلى ألمانيا في زيارة رسمية
صدور نتائج أهلية حساب المواطن للدورة الـ 94
الجنيه الإسترليني يرتفع مقابل الدولار وينخفض مقابل اليورو
رصد بقع شمسية عملاقة من سماء عرعر
جَدَاد النخيل في المدينة المنورة.. آخر مراحل جني التمور
جماهير النصر.. سور عالٍ لا يُخترق
مشاهد البرق والشلالات تزيّن سماء الباحة وطبيعتها
شرطة الرياض تباشر بلاغ امرأة تعرضت لاعتداء من رجلين و4 نساء
-
32°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب