ترامب أمام الكنيست: لا أحب الحروب والدول العربية والإسلامية شركاء في السلام
القبض على 3 مقيمين في الطائف لترويجهم 14,538 قرصًا ممنوعًا
طرح 5 فرص استثمارية لتربية وتسمين الحمام ودعم الأنشطة الترفيهية والسياحية في الرياض
نيابة عن ولي العهد.. وزير الخارجية يصل إلى مصر لترؤس وفد السعودية في قمة شرم الشيخ للسلام
ترامب يبرر عدم حصوله على جائزة نوبل للسلام
أمطار على منطقة الباحة حتى المساء
تنبيه من أمطار وسيول وصواعق رعدية على عسير
دوبيزل تعتزم طرح 30% من أسهمها في اكتتاب عام أولي
هل الشاي يقي من الكبد الدهني؟
ترامب محذرًا روسيا: سنرسل صواريخ توماهوك لأوكرانيا إذا لم تنته الحرب
-
36°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب