أرشدني تعزز من خدمات مركز إرشاد الحافلات في موسم حج 1446هـ
المنافذ الجمركية تسجّل 1165 حالة ضبط خلال أسبوع
موسم حج 1446.. أمانة العاصمة المقدسة مستعدة لأي طارئ
وزارة الداخلية: احذروا حملات الحج الوهمية والمكاتب غير المرخصة
ضبط 14987 مخالفًا لأنظمة الإقامة والعمل وأمن الحدود خلال أسبوع
رياح وأتربة على منطقة نجران حتى الثامنة مساء
طريق مكة تنقل ليجيمان وزوجته إلى مكة المكرمة بعد حلم الـ 40 عامًا
بمشاركة الجبير.. صورة جماعية للقادة المشاركين في القمة العربية الـ34 ببغداد
7 دول أوروبية تطالب إسرائيل برفع الحصار عن قطاع غزة
الحج والعمرة لضيوف الرحمن: تصدوا للمخاطر السيبرانية بحماية بياناتكم
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.