ميلان يرتقي لصدارة الدوري الإيطالي عقب الفوز على لاتسيو
الاحتلال الإسرائيلي يطلق قنابل الغاز تجاه المركبات في قلقيلية
جمعية مساعي تُفعّل اليوم العالمي للعنف ضد المرأة بورشة توعوية لمستفيداتها
مقتل 4 أشخاص في إطلاق نار بولاية كاليفورنيا الأمريكية
ارتفاع حصيلة ضحايا إعصار ديتواه في سريلانكا إلى 159 قتيلًا
أمطار رعدية ورياح نشطة وبرد على 9 مناطق
وظائف شاغرة في شركة Oracle
وظائف شاغرة بفروع الفطيم القابضة
إخلاء مقر هيئة التلفزيون الفرنسي بسبب إثر إنذار بوجود قنبلة
ظهور الشوك الروسي في منطقة الحدود الشمالية
-
24°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب