القبض على مقيم لارتكابه عمليات نصب واحتيال بنشر إعلانات تصاريح وهمية لدخول المشاعر
“إدارة الدين” يقفل طرح أبريل 2026 ضمن الصكوك المحلية بـ 16.946 مليار ريال
وظائف إدارية شاغرة في بنك الرياض
وظائف شاغرة لدى شركة التنفيذي
وظائف شاغرة بـ مستشفى الملك فيصل التخصصي
وظائف شاغرة في التصنيع الوطنية
وظائف إدارية شاغرة بـ وزارة الصناعة
وظائف شاغرة في شركة رتال للتطوير
وظائف شاغرة بهيئة الزكاة والضريبة والجمارك
السعودية في معرض بولونيا الدولي لكتاب الطفل 2026.. مشاركة تعزز التبادل الثقافي
-
19°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب