ضيوف برنامج خادم الحرمين يزورون مجمع الملك فهد لطباعة المصحف الشريف بالمدينة المنورة
تراجع أسعار الذهب 0.8%
قمر الدانة يزيّن سماء المملكة والوطن العربي
السعودية تسجّل ولادة أحد أندر الحيوانات في العالم لأول مرة منذ 100 عام
دخول قرار رفع نسبة التوطين إلى 70% في مهن المشتريات حيّز التنفيذ
الموروث البحري في جازان.. ذاكرة الساحل وإرث البحر المتوارث
الخطوط السعودية تعزز أسطولها باستلام 12 طائرة خلال عام 2026
السعودية تدين وتستنكر بأشد العبارات الهجمات الإيرانية الآثمة والمتكررة على الكويت
مطار الكويت الدولي يستأنف استقبال الرحلات الجوية
إطلاق 8 من طيور أبو منجل المتوج في البرية
-
43°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب