خالد بن سعود يستقبل المواطن زايد العطوي المتنازل عن قاتل ابنه لوجه الله تعالى
طيران ناس يطلق مركز عمليات جديدًا في أبها
الفريق البسامي يصدر قرارات ترقية 3221 فردًا من منسوبي الأمن العام
تحت رعاية الملك سلمان.. افتتاح مؤتمر التعدين الدولي بحضور أكثر من 20 ألف مشارك
انطلاق مهرجان خادم الحرمين الشريفين للهجن في نسخته الثالثة بالرياض 23 يناير
المنتدى السعودي للإعلام.. تحالفات تشكل الرأي العالمي وإعلام يقود التحولات الكبرى
ضبط 5 مخالفين للائحة الأمن والسلامة لمزاولي الأنشطة البحرية بالقنفذة
تأخر الاستقدام؟ مساند تكشف آلية التعويض وفسخ العقد
لماذا تتمتع مكة المكرمة بشتاء دافئ؟
ضبط مواطن رعى 4 أمتان من الإبل في محمية الإمام عبدالعزيز
-
19°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب