كل جمعة.. تشغيل مترو الرياض من الساعة 8 صباحًا وحتى 12 منتصف الليل
معالجة الاعتراضات على المخالفات البلدية خلال 15 يومًا عبر منصة الاعتراضات الموحدة
القبض على مخالف نقل 8 مخالفين لنظام أمن الحدود في جازان
بدء تطبيق أحكام نظام التأمينات الاجتماعية المعلن عنها سابقًا ابتداءً من يوم غد
الأسهم الأوروبية تتراجع مع نهاية يونيو
إصدار أكثر من 190 ألف تأشيرة عمرة منذ انطلاق الموسم
13 وظيفة شاغرة في الهيئة الملكية بمحافظة العلا
وظائف شاغرة لدى شركة المراعي
وظائف شاغرة بـ شركة الاتصالات السعودية
نزاهة تباشر 18 قضية جنائية متورط فيها موظفين ورجال أمن متهمين بالرشاوى والفساد
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت عملية إنتاج ضخمة لبطاقات ذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X DRAM” التي وصفتها بـ”أنحف وأرق رقاقة ذاكرة للأجهزة المحمولة في العالم” من حيث السمك، إذ يبلغ حوالي 0.65 مليمتر فقط.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أن المعمارية الجديدة لذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X” تتسم بمقاومة أفضل للحرارة، حيث زادت نسبة مقاومتها للحرارة بنحو 21.2% مقارنة بالأجيال السابقة، بالإضافة إلى أنها أرق بنسبة 9% مقارنة بحزم LPDDR5X التقليدية.
ويساعد هذا التصميم الجديد في تحسين تدفق الهواء داخل الهواتف الذكية، مما يعزز إدارة الحرارة بشكل كبير، وهو أمر ضروري للأجهزة التي تحتوي على معالجات تطبيقات عالية الأداء مع قدرات ذكاء اصطناعي متطورة.
هذا وتعتزم الشركة تنويع سعة الذاكرة المقدمة من بطاقات LPDDR5X الجديدة، إذ تبدأ الآن الإنتاج الضخم لحزم بسعة 12 و16 جيجا بايت، بتصميم رباعي الطبقات من “DRAM”.
كما تخطط في المستقبل، لتطوير بطاقات بسعات 24 و32 جيجا بايت، بتصميم سداسي الطبقات في نفس الحزمة المدمجة.
ووفقًا لموقع “فون آرينا” المعني بالتكنولوجيا، فمن المحتمل أن تصل هذه البطاقات إلى سلسلة “Galaxy S25″، حيث أكدت سامسونج بشكل غير مباشر الشائعات التي تفيد بأن Galaxy S25 Ultra سيأتي بذاكرة وصول عشوائي أكبر، وفي حال صدقت التوقعات، سيكون الهاتف الأول الذي يحتوي على ذاكرة عشوائية بهذه السعة، منذ سلسلة Galaxy S21.