زلزال بقوة 6,3 درجات يضرب شمال أفغانستان
ارتفاع مبكر في إصابات الإنفلونزا الموسمية والصحة توضح الأسباب
تحديث جدول السداد ضروري لتفادي انقطاع الدعم السكني
سلمان للإغاثة يوزّع 1.640 سلة غذائية في النيل الأبيض بالسودان
أحداث سماوية لافتة وتنوع في الظواهر الفلكية خلال نوفمبر
إيجار تحدد مهلة التنفيذ والإخلاء للمستأجرين بعد انتهاء العقود
برشلونة يفوز على إلتشي بثلاثية
خطوات تقديم طلب الإعفاء من غرامات التأخير عبر تطبيق GOSI
فيصل بن فرحان يتلقى اتصالًا هاتفيًا من روبيو
حرس الحدود ينقذ مقيمين تعرضت واسطتهما البحرية للانقلاب في عرض البحر
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت عملية إنتاج ضخمة لبطاقات ذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X DRAM” التي وصفتها بـ”أنحف وأرق رقاقة ذاكرة للأجهزة المحمولة في العالم” من حيث السمك، إذ يبلغ حوالي 0.65 مليمتر فقط.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أن المعمارية الجديدة لذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X” تتسم بمقاومة أفضل للحرارة، حيث زادت نسبة مقاومتها للحرارة بنحو 21.2% مقارنة بالأجيال السابقة، بالإضافة إلى أنها أرق بنسبة 9% مقارنة بحزم LPDDR5X التقليدية.
ويساعد هذا التصميم الجديد في تحسين تدفق الهواء داخل الهواتف الذكية، مما يعزز إدارة الحرارة بشكل كبير، وهو أمر ضروري للأجهزة التي تحتوي على معالجات تطبيقات عالية الأداء مع قدرات ذكاء اصطناعي متطورة.
هذا وتعتزم الشركة تنويع سعة الذاكرة المقدمة من بطاقات LPDDR5X الجديدة، إذ تبدأ الآن الإنتاج الضخم لحزم بسعة 12 و16 جيجا بايت، بتصميم رباعي الطبقات من “DRAM”.
كما تخطط في المستقبل، لتطوير بطاقات بسعات 24 و32 جيجا بايت، بتصميم سداسي الطبقات في نفس الحزمة المدمجة.
ووفقًا لموقع “فون آرينا” المعني بالتكنولوجيا، فمن المحتمل أن تصل هذه البطاقات إلى سلسلة “Galaxy S25″، حيث أكدت سامسونج بشكل غير مباشر الشائعات التي تفيد بأن Galaxy S25 Ultra سيأتي بذاكرة وصول عشوائي أكبر، وفي حال صدقت التوقعات، سيكون الهاتف الأول الذي يحتوي على ذاكرة عشوائية بهذه السعة، منذ سلسلة Galaxy S21.