ضبط 7,496 دراجة آلية مخالفة خلال أسبوع
وصول قافلة مساعدات إنسانية جديدة مقدمة من سلمان للإغاثة إلى قطاع غزة
وظائف شاغرة لدى الهيئة السعودية للسياحة
15 وظيفة شاغرة في هيئة سدايا
وظائف شاغرة بشركة طيران أديل
المركز الإعلامي لنهائيات دوري أبطال آسيا للنخبة يوفر بيئة عمل متكاملة للصحفيين والمصورين
تعليق الدراسة الحضورية في كافة كليات جامعة حفر الباطن
السعودية للطاقة: رياح شديدة تتسبب بسقوط أعمدة كهربائية في رياض الخبراء دون إصابات
استدعاء 6,341 كوبًا زجاجيًا بسبب مخاطر صحية
اقتران الثريا بالقمر يعلن دخول أقران الثالث ودلالة اقتراب انتهاء الربيع لدى أهل البادية
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت عملية إنتاج ضخمة لبطاقات ذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X DRAM” التي وصفتها بـ”أنحف وأرق رقاقة ذاكرة للأجهزة المحمولة في العالم” من حيث السمك، إذ يبلغ حوالي 0.65 مليمتر فقط.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أن المعمارية الجديدة لذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X” تتسم بمقاومة أفضل للحرارة، حيث زادت نسبة مقاومتها للحرارة بنحو 21.2% مقارنة بالأجيال السابقة، بالإضافة إلى أنها أرق بنسبة 9% مقارنة بحزم LPDDR5X التقليدية.
ويساعد هذا التصميم الجديد في تحسين تدفق الهواء داخل الهواتف الذكية، مما يعزز إدارة الحرارة بشكل كبير، وهو أمر ضروري للأجهزة التي تحتوي على معالجات تطبيقات عالية الأداء مع قدرات ذكاء اصطناعي متطورة.
هذا وتعتزم الشركة تنويع سعة الذاكرة المقدمة من بطاقات LPDDR5X الجديدة، إذ تبدأ الآن الإنتاج الضخم لحزم بسعة 12 و16 جيجا بايت، بتصميم رباعي الطبقات من “DRAM”.
كما تخطط في المستقبل، لتطوير بطاقات بسعات 24 و32 جيجا بايت، بتصميم سداسي الطبقات في نفس الحزمة المدمجة.
ووفقًا لموقع “فون آرينا” المعني بالتكنولوجيا، فمن المحتمل أن تصل هذه البطاقات إلى سلسلة “Galaxy S25″، حيث أكدت سامسونج بشكل غير مباشر الشائعات التي تفيد بأن Galaxy S25 Ultra سيأتي بذاكرة وصول عشوائي أكبر، وفي حال صدقت التوقعات، سيكون الهاتف الأول الذي يحتوي على ذاكرة عشوائية بهذه السعة، منذ سلسلة Galaxy S21.