وفقًا للتوجيهات الكريمة.. السعودية تقدم دعمًا ماليًا للاقتصاد الباكستاني بوديعة في البنك المركزي
استدعاء 18,708 مركبات تويوتا-لكزس لوجود خلل خطير
الهيئة الملكية تواصل تنفيذ الطريق الدائري الثالث في مكة المكرمة
أمانة جازان تنفّذ مشروع شبكة تصريف مياه الأمطار في المضايا
أدوية ألزهايمر لا تحدث فرقًا يذكر لدى المرضى
ضبط مخالف أشعل النار في غير الأماكن المخصصة بالجوف
مجلس الشؤون الاقتصادية يقر توصيات بشأن التخصيص والحوكمة والسياسات الاقتصادية
التحف والمقتنيات التراثية في مكة المكرمة.. شواهد تروي تفاصيل الحياة القديمة
القبض على مقيم لتقديمه خدمات حج وهمية ومضللة
رياح وأتربة مثارة على مكة المكرمة ودرجة الحرارة 39
-
28°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب