أكبر عرضة سعودية.. احتفاء يوم التأسيس بقصر الحكم يدخل غينيس
قوة الدفاع المدني تعزز جهودها في المسجد الحرام وساحاته خلال رمضان
أطلال المساجد القديمة بقرى الشمالية.. شواهد تاريخية على عمق الوظيفة الصحراوية
لقاح الحمى الشوكية إلزامي للراغبين في الحج والممارسين الصحيين
مشاهد روحانية من صلاة التراويح في المسجد الحرام ليلة 11 رمضان
مرحلة الحمل تحدد قدرة الحامل على الصيام في رمضان
جامعة الملك فيصل ضمن أفضل 100 جامعة عالميًا في براءات الاختراع الأمريكية
مشروع محمد بن سلمان يطوّر مسجد أبو بكر الصديق ويعزز حضوره الديني والاجتماعي
قرعة دور الـ16 بدوري أبطال أوروبا.. نيوكاسل يلاقي برشلونة والملكي يصطدم بـ سيتي
مصر: لا زيادات بالأسعار أو تخفيف أحمال الكهرباء في صيف 2026
-
22°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب