وكالة الفضاء السعودية: عام 2025 يشهد نشاطًا شمسيًا متزايدًا
حالة مطرية على محافظة العرضيات
تنبيه من رياحٌ شديدة على منطقة حائل
ضبط مواطن مخالف لنظام البيئة في المدينة المنورة
المزروعي يتوّج بطلًا لكأس الاتحاد السعودي للفروسية للقدرة والتحمل
مصرع شخصين بحادث تحطم مروحية جنوب شرقي بولندا
ميلان يرتقي لصدارة الدوري الإيطالي عقب الفوز على لاتسيو
الاحتلال الإسرائيلي يطلق قنابل الغاز تجاه المركبات في قلقيلية
جمعية مساعي تُفعّل اليوم العالمي للعنف ضد المرأة بورشة توعوية لمستفيداتها
مقتل 4 أشخاص في إطلاق نار بولاية كاليفورنيا الأمريكية
-
26°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب