تعرف على مواعيد حساب المواطن وطريقة الاستعلام عن الأهلية تنفيذ التمرين السعودي الأمريكي المشترك درع الوقاية 4 متحدث الأرصاد : الصيف سيكون حارًا النزلة المعوية البسيطة لا تستوجب زيارة الطوارئ أخبار الطقس اليوم.. أمطار غزيرة على عسير حتى الـ11 مساءً لزيارة الروضة الشريفة.. وفود عظيمة تتسابق شوقًا مساند يوضح ضوابط استخراج تأشيرة ثانية للعمالة المنزلية حيل ذكية وقت السيول لحماية المنازل تراجع سعر الذهب في السعودية اليوم حالة الطقس اليوم.. أمطار وجريان السيول في 9 مناطق
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.