توقعات الطقس اليوم: أمطار وغبار على غالبية المناطق
ارتفاع أسعار النفط عند التسوية
تراجع أسعار الذهب عالمياً
13 وظيفة شاغرة لدى شركة PARSONS
وظائف شاغرة في مستشفى الملك خالد
مشاهد بديعة لشلال ذيخين شرق حائل
تركي مسن يقتل زوجته ويصيب ابنته في مشهد صادم
الملك سلمان وولي العهد يهنئان روموالد واداني لفوزه بالانتخابات الرئاسية في بنين
وزير الدفاع الأمريكي: مستعدون لاستئناف الحرب إذا أساءت إيران الاختيار
المدينة المنورة تتصدر مدن المملكة في معدل إشغال قطاع الضيافة خلال 2025
-
28°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب