“زنبق السلام” و”العنكبوت” أشهرها.. النباتات الداخلية عنصر جمالي وفوائد صحية متعددة
الفلبين تعتقل ثلاثة مشتبه بهم في حادثة مقتل عالم أحياء أمريكي
الجيش الأمريكي يستهدف محيط جزيرة قشم في إيران بالصواريخ
مجلس أوروبا يطالب باحترام حقوق مهاجرين قيد الترحيل
صواريخ أمريكية تصيب مواقع قرب بندر عباس في إيران
المتحدث الأمني لوزارة الداخلية يرأس وفد المملكة بالمؤتمر العربي الـ17 لرؤساء أجهزة الإعلام الأمني
هولندا ترفع مستوى التأهب بعد إعلان حالة نقص المياه
سلمان للإغاثة يمد الأسر الأكثر احتياجًا في وسط وجنوب قطاع غزة بـ (24,500) ألف وجبة غذائية
لليوم الثاني.. المغرب يكافح حرائق غابات أتت على 14 هكتارا بالحوز
لوفتهانزا تستأنف رحلاتها إلى الخليج اعتبارا من سبتمبر
-
37°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب