السيسي يرد على تصريحات ترامب بشأن سد النهضة
وظائف إدارية شاغرة بـ مجموعة الراشد
وظائف شاغرة في محطة بوابة البحر الأحمر
وظائف شاغرة لدى شركة روشن العقارية
وظائف شاغرة لدى فروع وزارة الطاقة
ترامب: توصلنا للتو إلى اتفاق رائع للجميع مع إندونيسيا
نظارة جديدة تُدخل بايت دانس سباق الواقع المختلط
الجامعة الإلكترونية تعلن عن موعد فتح باب القبول لمرحلة البكالوريوس
النيابة: تمويه أو إخفاء طبيعة الأموال جريمة غسل أموال
ارتفاع عدد ضحايا أمطار باكستان إلى 111 شخصًا
المواطن – الرياض
أكّدت عدة تسريبات أن هاتف “جالاكسي إس 8” الذي ستطرحه سامسونج، العام المقبل، سيأتي مزودًا بذاكرة وصول عشوائي “رام” بحجم 8 جيجا، وليس 6 جيجا.
وبحسب البوابة العربية للتقنية، فإن “جالاكسي إس 8” سيأتي إلى جانب ذاكرة الوصول العشوائي البالغ حجمها 8 جيجابايت، مع ذاكرة تخزين داخلية بتقنية UFS 2.1.
وتعد تقنية UFS 2.1 الجيل التالي لتقنية UFS 2.0 التي صُدِرت في عام 2013، ومعتمدة في العديد من الهواتف الذكية المتاحة في الأسواق حاليًا، وتوفِّر التقنية الجديدة زيادة في الأداء وكفاءة في استهلاك الطاقة مقارنةً بـ UFS 2.0.
كانت تقارير سابقة قد توقّعت أن يأتي “جالاكسي إس 8” بكاميرتين خلفيّتين وشاشة تغطية بالكامل، فيما سيتم الاستغناء عن زر “الرئيسية” ومنفذ سمّاعات الأذن، إضافةً إلى مساعد رقمي ذكي.
كما أشارت التقارير إلى أن سامسونج قرّرت جعل شاشة “جالاكسي إس 8” أكبر حجمًا، في محاولةٍ منها لجذب محبّي الشاشات الكبيرة، خاصةً من سلسلة هواتفها اللوحية “جالاكسي نوت”.