308 صقور تتنافس بأشواط الملاك في ثالث أيام كأس نادي الصقور السعودي 2025
النصر يقسو علي استقلال دوشنبه برباعية نظيفة
محافظ الأحساء يستقبل رئيس اللجنة الوطنية للتطوير العقاري باتحاد الغرف السعودية
“كأس نادي الصقور السعودي 2025” تعيد الصقارين السابقين لممارسة هوايتهم والفوز بالجوائز
أمطار ورياح نشطة على محافظة الجموم
“إنفاذ” يشرف على 72 مزادًا عقاريًا لبيع 940 أصلًا في مختلف المناطق
السعودية وإيطاليا يعزّزان تعاونهما مع UNIDO لتطوير سلاسل إمداد القهوة
“الشؤون الدينية” تُطلق دورة “الإتقان لحفظ القرآن” في المسجد الحرام
وظائف شاغرة في وزارة الطاقة
وظائف شاغرة بفروع شركة التصنيع الوطنية
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.