سلمان للإغاثة يوزّع 754 سلة غذائية في محلية بورتسودان السودانية
قمر الحصاد يزيّن سماء عسير ويجذب عشاق الظواهر الفلكية
إطلاق عقد العمل الموحّد لتوثيق الحقوق والالتزامات
مسام ينزع 1.319 لغمًا من الأراضي اليمنية خلال أسبوع
إحباط تهريب 137.5 كيلو حشيش في جازان
الموارد البشرية تعتمد بند الأجر في عقد العمل الموثق سندًا تنفيذيًا
أزمة سياسية غير مسبوقة في تاريخ فرنسا
10 أعراض مبكرة لمرض باركنسون
الإحصاء تتيح خدمة التحقُّق من هوية الباحث الميداني عبر توكلنا
الصندوق العقاري: وحدات سكنية تحت الإنشاء بهامش ربح تنافسي
-
30°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب