كل جمعة.. تشغيل مترو الرياض من الساعة 8 صباحًا وحتى 12 منتصف الليل
معالجة الاعتراضات على المخالفات البلدية خلال 15 يومًا عبر منصة الاعتراضات الموحدة
القبض على مخالف نقل 8 مخالفين لنظام أمن الحدود في جازان
بدء تطبيق أحكام نظام التأمينات الاجتماعية المعلن عنها سابقًا ابتداءً من يوم غد
الأسهم الأوروبية تتراجع مع نهاية يونيو
إصدار أكثر من 190 ألف تأشيرة عمرة منذ انطلاق الموسم
13 وظيفة شاغرة في الهيئة الملكية بمحافظة العلا
وظائف شاغرة لدى شركة المراعي
وظائف شاغرة بـ شركة الاتصالات السعودية
نزاهة تباشر 18 قضية جنائية متورط فيها موظفين ورجال أمن متهمين بالرشاوى والفساد
-
40°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب