مشروع محمد بن سلمان يطوّر مسجد أبو بكر الصديق ويعزز حضوره الديني والاجتماعي
قرعة دور الـ16 بدوري أبطال أوروبا.. نيوكاسل يلاقي برشلونة والملكي يصطدم بـ سيتي
مصر: لا زيادات بالأسعار أو تخفيف أحمال الكهرباء في صيف 2026
#يهمك_تعرف | مساند: توثيق الأجر الشهري متاح قبل إصدار الإقامة
#يهمك_تعرف | إيجار: 3 صلاحيات إلزامية لممثل السجل التجاري متعدد الملاك
صورة جديدة تكشف أسرار درب التبانة
ضبط مخالف في محمية الإمام فيصل بن تركي
القبض على 8 إثيوبيين لتهريبهم 160 كيلو قات في جازان
ضبط مواطن رعى 48 متنًا من الإبل في محمية الملك عبدالعزيز
تصعيد عسكري غير مسبوق بين باكستان وأفغانستان بعد تبادل ضربات جوية وبرية
-
24°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب