ضبط مواطن ارتكب مخالفة التخييم دون ترخيص في محمية الإمام فيصل
إيداع دعم الحقيبة المدرسية والزي المدرسي لمستفيدي الضمان الاجتماعي غدًا
طيران ناس يبحث مع وزير الاقتصاد السوري فرص الاستثمار في مجال النقل الجوي
حجب متجر إلكتروني مخالف من خارج السعودية لبيعه سبائك ذهبية مغشوشة
وصول قافلة مساعدات إنسانية سعودية جديدة إلى قطاع غزة
زاتكا للمنشآت: قدموا إقرارات ضريبة القيمة المضافة عن يوليو الماضي
ضبط مواطن أشعل النار في غير الأماكن المخصصة لها بمحمية طويق
القبض على وافدين سرقوا كيابل كهربائية من مدارس بالرياض
الجوازات تُصدر 111,034 قرارًا إداريًا بحق مخالفين للأنظمة خلال النصف الأول من 2025
هيئة العقار تُعلن عن بدء أعمال السجل العقاري في 99 حيًا بالشرقية
-
37°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب