مجلس الوزراء يوافق على استثناء بعض مانحي وأصحاب الامتيازات من أحد متطلبات نظام الامتياز التجاري
1 تحت الصفر.. موجة باردة وانخفاض درجات الحرارة في الشمالية غدًا
محايل عسير.. طبيعة خلابة وأجواء شتوية تجذب الزوار
المدني: لا تقتربوا من تجمعات السيول
دروب القوافل تُعيد إحياء درب زبيدة وتستحضر الذاكرة بروح عالمية
التخصصات الصحية تعلن بدء التقديم على برامج البورد السعودي
انتهاء مدة تسجيل العقارات في مناطق الرياض والقصيم والشرقية الخميس
حرس الحدود في جازان ينقذ مواطنًا من الغرق أثناء السباحة
طريقة معرفة نتيجة أهلية حساب المواطن
حافلات المدينة تنقل أكثر من 481 ألف راكب خلال الربع الرابع من 2025
-
22°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب