أزمة سياسية غير مسبوقة في تاريخ فرنسا
10 أعراض مبكرة لمرض باركنسون
الإحصاء تتيح خدمة التحقُّق من هوية الباحث الميداني عبر توكلنا
الصندوق العقاري: وحدات سكنية تحت الإنشاء بهامش ربح تنافسي
فتح باب التسجيل في مسابقة “بيبراس موهبة”
برعاية وزير الثقافة.. انطلاق المؤتمر السنوي الدولي لمجمع الملك سلمان العالمي للغة العربية
زلزال عنيف بقوة 5.9 درجات يضرب كازاخستان
رياح شديدة بسرعة 49 كم/ س على حائل
بتوجيه الملك سلمان.. فتح مسجد القبلتين بالمدينة المنورة على مدار 24 ساعة
التأمينات: شراء مدد خدمة غير متاح حاليًا
-
35°
سامسونغ تحدث نقلة في عالم الإلكترونيات
كشفت شركة سامسونغ عن جيلها الأحدث من ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 الذي يتوقع أن يفتح آفاقًا واسعة في عالم الحواسيب المتطورة، حيث إن أكثر ما يميزها هو سعتها التي تصل إلى 512 غيغابايت.
وهذا يعني أن كل شريحة منها ستوفر إمكانيات هائلة لمعالجة البيانات في الحواسب دون أن تشغل مساحات كبيرة كما هو الحال مع ذاكرات الوصول العشوائي الحالية.
وتبعًا للخبراء في سامسونغ فإن ذاكرات DDR5 الجديدة التي طوروها تعتمد تقنيات High-K Metal Gate التي تستخدم فيها نواقل معدنية بدلًا من السيليكون ما يؤمن سرعات عالية في نقل البيانات.
سرعة نقل البيانات أكبر مرتين من الحالية
وتشير المعلومات المتوفرة إلى أن هذه الذاكرات تصل سرعة نقل البيانات فيها إلى 7200 ميغابيت/ثا، أي أكبر بمقدار الضعف مقارنة بالسرعة الموجودة في ذاكرات DDR4 تقريبًا.
استهلاك أقل للطاقة
وبفضل التقنيات المتطورة التي حصلت عليها هذه الذاكرات فإن استهلاكها للطاقة أقل بمقدار 13% مقارنة بأحدث ذاكرات الوصول العشوائي المطروحة للحواسب حاليا.
ومن المفترض أن تجد هذه الشرائح استخدامات واسعة في عالم الحواسيب المتطورة التي تعتمد على تقنيات الذكاء الاصطناعي وتعالج كميات كبيرة من البيانات في نفس الوقت، كما يفترض أن تطرح مع الجيل القادم من الحواسيب التي ستطلقها سامسونغ وآسوس وإتش بي العام القادم، بحسب موقع ixbit التكنولوجي.
تابعوا قناة المواطن على واتساب
