حلول “سابك” المبتكرة تحصد الجوائز العالمية وتلبي احتياج مختلف القطاعات
#يهمك_تعرف | التأمينات توضح خطوات التسجيل بأثر رجعي
تنبيه من هطول أمطار غزيرة على القصيم
دراسة علمية حول الوعي بمرض الكلى المزمن لدى مرضى السكري بجامعة الحدود الشمالية
البديوي: مجلس التعاون يسعى دائمًا للتوصل إلى بيئة مستقرة وآمنة وينتهج سياسات بنّاءة
مشهد يخطف الأنظار.. اقتران القمر والثريا يزين سماء المملكة مساء اليوم
حادثة صادمة بالمغرب.. 4 كلاب بيتبول تنهش مربيها داخل منزله
مقتل 8 أشخاص في هجوم مسلح بوسط المكسيك
ترامب يترأس اجتماعاً طارئًا لبحث المفاوضات مع إيران وأزمة مضيق هرمز
“الحياة الفطرية” يدشن مسار كندة السياحي بمحمية عروق بني معارض
-
35°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب